关于电机驱动

dapan945

    最近看到很多人还在纠结驱动发热问题。虽然有的人很直接忽略了，但发热仍是一个普遍现象。其实电路设计合理驱动是不怎么热的。我们直接用MOS管搭的驱动10A电流连续10分钟只是微热。电机正正常运行也就3——4A吧，堵转也就是8——10A。即使不停的反正转电流也不会太大，并且可以用续流二极管减轻MOS管的刹车负担。    个人认为发热的主要原因是电压不合适。就拿MOS管来说，栅源电压小于开启电压时MOS管截止；栅源电压大于开启电压但小于漏源电压时MOS是处于恒流区的（这种状态下就会发热，有时候很严重！！！）；只有栅源电压大于漏源电压加上开启电压时MOS才处于可变电阻区，并且电压越高电阻越小。

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学到了

dapan945

沧海一只猫 发表于 2013-11-12 14:13
有没有电路图啊

说的很清楚了，栅极驱动需要升压。电路图网上多的是，有自举的，有变压器隔离的，有DCDC的……任何一种都行。

沧海一只猫

有没有电路图啊

dapan945

＂沉沉睡去. 发表于 2013-11-11 22:32
恩恩，我也知道我的一知半解，我想请问一下，PMOS和NMOS性能不在一个数量级上，是指什么不在一个数量级上 ...

不想回你了……

＂沉沉睡去.

dapan945 发表于 2013-11-11 21:25
一般栅源电压都不得大于20V。PMOS的性能和NMOS都不在一个数量级上。其实开关损耗也是不可忽略的，尤其是频 ...

恩恩，我也知道我的一知半解，我想请问一下，PMOS和NMOS性能不在一个数量级上，是指什么不在一个数量级上呢？导通电阻吗？ 还有为什么要用MOS电路驱动呢？和直接7.2V加在电机上比较，除了可以用PWM控制的优点外，对驱动能力那些有没什么影响呢？会不会增大了电流呢，可能我问题很白痴，但还望前辈指教！！

dapan945

＂沉沉睡去. 发表于 2013-11-11 18:12
用做开关管的时候，如果在漏极不加电阻，那是不是VGS越高，管压降越低呢（如果是的话，那我把栅极电压升得 ...

一般栅源电压都不得大于20V。PMOS的性能和NMOS都不在一个数量级上。其实开关损耗也是不可忽略的，尤其是频率高时。小小打击你你下：这块你还差很多呀，很多都是一知半解。

＂沉沉睡去.

dapan945 发表于 2013-11-11 17:48
汗……

用做开关管的时候，如果在漏极不加电阻，那是不是VGS越高，管压降越低呢（如果是的话，那我把栅极电压升得很高，是不是管功耗就会小呢？）， 用MOS管驱动电机的目的是不是为了增大驱动电流呢？ 我打算自己做驱动电路，用nmos好还是pmos好呢，为什么，楼主给点建议哈{:soso_e113:}{:soso_e113:}

dapan945

＂沉沉睡去. 发表于 2013-11-11 16:18
楼主，我昨天刚看到你的观点，今天就学习模电的mos管，看输出特性曲线图，可以看到，当栅源电压比漏源电压大 ...

汗……

＂沉沉睡去.

楼主，我昨天刚看到你的观点，今天就学习模电的mos管，看输出特性曲线图，可以看到，当栅源电压比漏源电压大一半以上，才会工作在变阻区，还有，为什么说变阻区功耗比较小呢？栅源电压越大，电阻越小这没问题，可是用PWM给栅源电压最多5V啊，有什么可能会比漏源电压的7.2大两倍呢，所以我觉得应该一直会工作在恒流区的？也许升压可以？，那栅极能承受几多电压呢？，我刚看完这个知识点，如果有什么说错的，还望赐教！！

补充内容 (2013-11-11 16:50):
楼主，我错了，不用理我=。=！