场效应管电机驱动

竞____心 · 发表于 2012-4-15 16:02:33

呵呵，谢谢

successjiang · 发表于 2012-4-23 22:18:27

请问楼主：我们用这个做的电路，为什么P沟道的两个当中有一个会很热，其他的都不热那？？谢谢

奋斗吧，少年 · 发表于 2012-5-5 16:29:13

想问下楼主，电机是正转的电流大，还是反转的电流大。。换个意思说就是：一般这个驱动会在哪种状态下发热严重

飞思卡尔835 · 发表于 2012-5-7 12:21:03

还是发热呀！
就一个发热！
何解？？

guo296512521 · 发表于 2012-5-11 20:26:07

wwt917 发表于 2009-12-10 20:40
我一直不明白为什么h桥要一个用P沟的一个用N沟的

H桥可以直接用一个驱动芯片驱动四个N沟道mos管来搭建吧这样做的话效果怎么样

verm · 发表于 2012-5-23 17:38:37

非常感谢

kmani · 发表于 2012-6-12 05:01:44

wf136770272 发表于 2009-12-28 22:45
你好请问两级非门是否是为了提高电平以驱动场效应管那么时候可以用光耦集电极直接偏置到7.2V 输出也 ...

我俩想法一致...
不知你后来验证光耦驱动MOS管没？光耦能否驱动mos管栅极？

kmani · 发表于 2012-6-12 05:10:08

agogos 发表于 2011-12-18 13:34
不得不说，把15页都看完了，也没什么建设性意见。。悲哀。。

你要什么建设性的意见？如何驱动4N MOS？
我想直接用光耦，光耦一端接PWM，另一端接7.2V的VCC，7.2V足够开启MOS管栅极。
这样就不用非门了。

agogos · 发表于 2012-6-12 08:20:10

本帖最后由 agogos 于 2012-6-12 08:21 编辑

kmani 发表于 2012-6-12 05:10
你要什么建设性的意见？如何驱动4N MOS？
我想直接用光耦，光耦一端接PWM，另一端接7.2V的VCC，7.2V足够 ...

这么老的帖子都被翻出来了。。。。
如果你想达到最好的驱动效果，那么就4-N吧。。。。
光耦不行的，7.2V不足以开启上桥臂MOS管（具体原因自己想），或者说开启不完全。。
之前也想过升压到20V去开上桥臂，但是20V得注意光耦有没有这么快得电平翻转。。。没实践过，所以不清楚。。。
而且光耦的开关频率也要注意下，貌似后面得加个小电容什么的。。
给点建议：最好不要用数字电路驱动4-N桥，也就是他们说的反向器啊，什么非门之类的。。因为灌流能力差。。。关断MOS管就慢了。。。
哦。。还有一点忘掉了。。。死区是4-N桥成败的关键点。。一定要注意。。。。

		自动登录	找回密码
密码			注册

[电机与驱动] 场效应管电机驱动

优秀会员奖章

活跃会员奖章

论坛元老奖章

在线王奖章