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楼主: zf12862177
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[电机与驱动] 为什么大家做H桥要用mosfet管而不用IGBT呢?

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发表于 2009-6-3 22:02:18 | 只看该作者
场效应管驱动电流也很小啊,和IGBT一样是属于电压驱动的,电压驱动电流几乎为“零”。
breathless很厉害!
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发表于 2009-6-3 23:27:26 | 只看该作者
9# zf12862177
IGBT的结构简单说来就是MOS+BJT(功率晶体管),门极特性和MOS很像,所谓绝缘栅双极型晶体管(IGBT的全称)说的就是IGBT的门极是绝缘的,理论上驱动电流为0。与之相对应的是IGCT,一种电流驱动的器件,在更大功率应用场合替代IGBT。
600V的IGBT已经算是低压IGBT了,有体积比较小的产品么?这个我不了解,不过我觉得,功率器件单纯谈电流耐量和电压耐量没有意义,毕竟功率器件都存在开关损耗,也就有一个安全工作区的概念。如果把体积做小了,散热难做,真正的工作范围会很窄。
总之,MOS足够用了,而且有买IGBT的钱,好电调都买出来了。
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发表于 2009-6-3 23:31:02 | 只看该作者
11# liang110034
IGBT的门极可以简单的看成一个MOS结构,所以特性几乎一样,属于电压型器件
我只是专业相关而已,不得不多了解一下这些东西。
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发表于 2009-6-4 00:30:25 | 只看该作者
赞同八楼的 一般来讲 要是用于我们单片机所用的智能车 用MOS管就可以了 但是 一般是不建议用三极管的,三极管功率实在是比较小 要是供应大功率的电机 这明显就是不行!
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 楼主| 发表于 2009-6-4 09:12:59 | 只看该作者
不是啊。。mos管要几块钱。IGBT也是几块钱啊。。而且大小和MOS管一样。我只是觉得他的耐电电压更大。驱动电流更小。
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发表于 2009-6-4 15:44:14 | 只看该作者
本帖最后由 liang110034 于 2009-6-4 15:45 编辑

MOS和IGBT的驱动电流都已经小到几乎为零的程度了,只要提供驱动电压的芯片就能驱动它们,所以说“驱动电流”这个问题就不用考虑啦!你想用的IGBT是什么型号?参数多少(极限电流等)?对比Mos管(像IRF3205)看哪个更有优势,但IGBT耐压高只是C和E极之间耐压高,Mos管D、S之间电压不到100V,但它们栅极驱动电压还是不能超过+-20V。哪个好我们光说没用,你可以对比试验一下嘛!原则是哪个电流大用哪个!
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发表于 2009-6-4 23:29:30 | 只看该作者
IGBT的个头也不小吧,杀机焉用牛刀
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发表于 2009-6-12 14:21:07 | 只看该作者
你家有钱烧的吧?呵呵。。。玩笑,不要当真,IGBT成本太高了,MOS管足够用,就几块钱,何必多花钱,电路设计宗旨:够用就行,以后工作就知道了!
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发表于 2009-6-23 00:02:26 | 只看该作者
哇塞,又见哲哲 8# breathless
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发表于 2009-7-3 10:37:48 | 只看该作者
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