智能车MOSFET电机驱动 BJT和MOS管的开关特性及相关细节详解

hxp632626965 · 发表于 2013-2-26 14:54:26

学习了

最好不相误 · 发表于 2013-3-21 18:04:44

好东西，去年搞了一段时间的逆变用的mos管，今天看到你写的加深记忆了，好贴

kido · 发表于 2013-3-26 16:08:21

顶~~~~

避风港1717 · 发表于 2013-11-6 19:51:55

必须顶

＂沉沉睡去. · 发表于 2013-11-22 12:40:10

楼主你好，我在书上看到的Id是和Ugs是正比的，但你文中说到Id大了导通内阻反而大了，这我就有些疑惑了，不是说Ugs越大，内阻越小吗？但是Ugs的增大也促使了Id的增大啊？，那怎么理解呢？

补充内容 (2013-11-22 13:24):
不好意思，我看得有点匆忙，重新看一次后发觉我看错了

烦躁丶 · 发表于 2013-11-22 19:34:07

收藏了。。。

曲終、朲散场 · 发表于 2013-12-30 14:43:17

大神，跪谢啊

star号巴士 · 发表于 2014-4-3 23:34:15

学习到了，哈哈哈哈哈

麦田里的守望者 · 发表于 2014-4-6 13:04:49

大神呀，膜拜

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