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在做电机驱动,遇到个问题

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发表于 2013-12-5 23:25:18 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
小弟在尝试做Pmos+Nmos的全桥,其中问题就是怕单片机输出的高电平不能使Pmos管完全截止,于是小弟想了个方案,用10K电阻+个NPN来驱动半桥,这样做电流不大,并且高电平时也达到6点多伏,比原来的5伏好多了。如图

这图还没完善,隔离啊,开关时间那些都没考虑,仿真过没什么问题,不知道这个方案驱动可好?由于本人模电还没开课,对于晶体管和mos管也不是完全了解,想请问下大家意见。
然后当我准备弄隔离的时候,发觉与非门CD4011BE的电源电压可以高达18V,我就想,如果直接把电池电压用作与非门电源电压,那与非门输出的高电平不就有七点多伏了,而且mos管栅极电流很小,我想应该能带得起mos管,这样既可以起到隔离作用,又可以防止PWM高电平不能使PMOS管截止,不知道可不可以这样用呢?
弄这些弄了3天了,一直在看原理,也只在仿真弄过,不知道可不可行呢?求大神拍砖:lol

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发表于 2014-7-22 17:27:47 | 只看该作者
简单看一下,三极管的源极和漏极没接VCC和GND,线那样交叉是连不上的,驱动的MOS一般的开启电压要10V以上,所以用不了的哦~:lol:lol
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发表于 2014-7-22 15:37:04 | 只看该作者
hpp616 发表于 2013-12-7 16:15
应该没有那么邪门,我焊了很多MOS管并且在手里拿来拿去的也没有遇到过因为静电而把MOS管弄坏的,但是K60好像 ...

3205   电阻用的26欧姆 电容1uf的  管子有2个发热会是哪里原因呢
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发表于 2014-3-7 19:26:47 | 只看该作者
刚才没注意,这个图单管集电极输出电流驱动能力肯定不足的。。。一般驱动半桥都是用的图腾柱输出结构,再加一个PNP的管子做成图腾柱说不定还靠谱点。。
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发表于 2014-3-7 19:22:00 | 只看该作者
3205充电的脉冲电流可以到1A以上,建议用达林顿的三极管试试,做好隔离。另外这电路没死区时间我感觉不工作的可能性较大。
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发表于 2014-2-18 10:27:33 | 只看该作者
hpp616 发表于 2013-12-7 16:15
应该没有那么邪门,我焊了很多MOS管并且在手里拿来拿去的也没有遇到过因为静电而把MOS管弄坏的,但是K60好像 ...

你好,我想知道用什么可以升到17V???是先稳出来12V再自举还是????
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发表于 2013-12-7 16:15:27 | 只看该作者
应该没有那么邪门,我焊了很多MOS管并且在手里拿来拿去的也没有遇到过因为静电而把MOS管弄坏的,但是K60好像很娇气静电有可能弄坏它,只要你焊接时烙铁不要停留太久就没事,
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 楼主| 发表于 2013-12-7 14:02:13 | 只看该作者
hpp616 发表于 2013-12-7 11:57
恩的确看错了,但是3205栅极和源极实际至少要10V才能完全导通,如果你用峰峰值5V的脉冲来推3205驱动电机那样 ...

请问焊mos管要注意什么呢,听那些人说,一不小心手中的静电也能把mos管给烧了,你焊过吗?
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 楼主| 发表于 2013-12-7 13:16:46 | 只看该作者
hpp616 发表于 2013-12-7 11:57
恩的确看错了,但是3205栅极和源极实际至少要10V才能完全导通,如果你用峰峰值5V的脉冲来推3205驱动电机那样 ...

不对不对,电阻肯定要加,要不是管子会炸的
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 楼主| 发表于 2013-12-7 12:45:53 | 只看该作者
"沉沉睡去. 发表于 2013-12-7 12:32
如果三极管处于截止状态,UD通过栅漏的寄生电容给栅极充电呢?,那时只能等着炸了

额,在这个模型来说,应该是三极管导通的时候,栅漏才会有高电平给充电,确实多次一举,我是乱套方法了   =.=

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