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运放电路独家详细分析,请管理员加入精品

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发表于 2013-11-26 21:00:54 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
file:///C:\DOCUME~1\Adu\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-21297.png
这个电路采用的系统结构可以从以下几个方面分析:前级差动放大电路,中间一级为射极跟随器,其次是共发射极放大电路,后级是推挽射极跟随器。若是大家采用这样的方式去分析应该会比较好理解。
        接下我会对这一整个电路进行一个比较系统的分析。
        首先,对差动放大电路Q1Q2的集电极电流取1mA(经验值)。这样,下面的恒流源晶体管的集电极电流必定设定在2mA=1mA*2)。R3压降设为1V,则R3就为1V/2mA=470欧(以下计算不再详细,看不懂的你也没必要再往下看了,浪费你我的时间)。为了使R3能得到1v的压降,负电源与Q3基极之间所加的电压为1.6V1V+0.6V)。
使用恒流源的目的就是为了抑制电源电压的扰动而使基极偏置电压发生变化,致使集电极电流也会变化。
这里使用led代替普通二极管作为恒压元件是因为led流过正向电流时,不管电流值多大(当然是发光情况下),在两端头之间产生的电压几乎为恒定的,且比齐纳二极管产生的噪声小,这里采用1.6V且Q4的基极偏执电压定为1.6V是由于横流负载Q5的基极偏置电压为1.6Vde缘故(这也是利用D1的压降的缘故)。
由于T6的集电极电流为2mA(为了充分提供给下级的射极跟随器的基极电流),Q3Q6的hfe设为100,则Q3Q6的基极电流合计为0.04mA=2mA/100+2mA/100)。因此,D1流过的电流为0.04mA10倍左右,定为0.5mAR4=30V-1.6V/0.5mA
R1的直流压降直接成为Q4的基极偏压,所以该值设定为数伏,R1的值就确定了。
共射部分:
R4的压降为1V,电流2mA,阻值????(自己看着办)
因为Q6的集电极电流设为与Q4的集电极电流一样的值,如果不一样,则破坏该级平衡,故R6=R4
射极跟随部分:
为了提高驱动负载的能力,Q7Q5的无信号时的集电极电流稍稍取大一些的3mA.。另一方面,Q7Q5的基极-基极之间的偏压是D2的正向压降本身,所以为1.6V,则Q7Q5发射极-发射极间即R5R8的压降之和0.4V1.6V-0.6V-0.6V),设R5=R8,每个电阻压降为0.2V,电流3mA,电阻我不知道哦!
这样的推挽设计跟随器的输出阻抗为R5R8并联。
今天先写到这里,有点累了,还得做作业,下次再写,拜拜!
下期预告:
1、相位补偿电路
2、输入补偿电压
3、信号通过率
4、频率特性
5、噪声特性
6、总谐波失真率

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发表于 2013-12-5 14:52:58 | 只看该作者
模电没学好的晕了
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发表于 2013-12-5 14:48:45 | 只看该作者
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发表于 2013-11-30 22:29:13 | 只看该作者
Αρηδ 发表于 2013-11-30 19:42
貌似我们上星期还在实验室见过面

伤感
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发表于 2013-11-30 22:05:09 | 只看该作者
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 楼主| 发表于 2013-11-30 21:21:50 | 只看该作者
aytc100 发表于 2013-11-30 20:23
好贵……除非是高电压等等特殊场合,还是买集成运放便宜、方便。

可是就因为是集成运放,内部集成后,不论是频率特性还是静态噪声等细节方面都会不及于分立元件,当然这是基于高精度控制系统而言
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发表于 2013-11-30 20:23:28 | 只看该作者
Αρηδ 发表于 2013-11-30 19:57
所以对于差动放大来说,采用单片式双晶体管可以降低他们之间的温漂误差

好贵……除非是高电压等等特殊场合,还是买集成运放便宜、方便。
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 楼主| 发表于 2013-11-30 19:57:49 | 只看该作者
aytc100 发表于 2013-11-30 19:50
分立元件搭运放电路的话,Q1和Q2的匹配是个大问题啊

所以对于差动放大来说,采用单片式双晶体管可以降低他们之间的温漂误差
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发表于 2013-11-30 19:50:04 | 只看该作者
分立元件搭运放电路的话,Q1和Q2的匹配是个大问题啊
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 楼主| 发表于 2013-11-30 19:42:00 | 只看该作者
znfc2 发表于 2013-11-30 19:23
你是常熟理工物电学院的?

貌似我们上星期还在实验室见过面
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