关于CodeWarrior的问题

rollvin

<>我用的是4.5版本的CodeWarrior，新建一个项目后只在main.c里面加了两行代码，就是点亮</P><P>其中一个发光二极管，把程序通过串口下到DG128，然后在C029处运行，但是二极管一点</P><P>反应都没有，我听说要修改一下项目里面某个文件的一些代码，但又不知道怎么修改，请高手</P><P>请教一下。</P>

auto

不用修改的，把你的代码发上来！

rollvin

<><FONT style="BACKGROUND-COLOR: #c0c0c0">以下是我在网上搜到的：</FONT></P><P>&nbsp;/*************************/</P><P>&nbsp;&nbsp; 工程建立以后，需要定义装载地址。default.prm文件用于定义目标代码的装载地址，用户应当根据使用单片机的内存分配情况修改这个文件。CodeWarrior 自动生成的 .prm 文件默认MC9S12DG128 的RAM 在：<BR>&nbsp;RAM = READ_WRITE 0x0400 TO 0x1FFF;<BR>&nbsp;&nbsp;&nbsp; 这个默认区间必须修改，因为在这一空间有 1K 的I/O 寄存器空间 和2K EEPROM 空间。使用默认定义会丢失1K RAM 和 2K EEPROM。<BR>&nbsp;我们在监控程序中修改RAM空间：<BR>&nbsp;&nbsp;RAM = READ_WRITE 0x2000 TO 0x3FFF;<BR>&nbsp;当然也可以修改到：<BR>&nbsp;&nbsp;RAM = READ_WRITE 0x1000 TO 0x2FFF。<BR>建议用户采用我们的定义。<BR>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 另外，我们使用：<BR>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; STACKTOP 替代 STACKSIZE<BR>&nbsp;&nbsp;&nbsp; 因为STACKSIZE 0x100 在RAM低端留 0x100 空间，而使用 STACKTOP 0x3F00 可以将SP定义到RAM 高端。但是如果采用这种定义的方法，需要在前面定义RAM的时候，定义修改为：RAM=READ_WRITE 0x2000 TO 0x3EFF。 这样，工程连接的时候才不会出现错误。<BR>&nbsp;&nbsp;&nbsp; 另外还需要对于工程文件中 Start12.c中函数 ： 原文位置<BR>void __interrupt 0 _Startup(void) 中 原文位置<BR>#ifdef _HCS12_SERIALMON 原文位置<BR>....... 原文位置<BR>....... 原文位置<BR>#endif<BR>两句宏命令注释掉，使得其中的对于EEPROM,RAM起始位置控制寄存器初始化语句有效。这样，下载后程序可以运行正常。<BR>　　上述修改在大奖赛的官方网站上已有详细说明。</P><P>/*********************/</P><P>我照着修改但是不行</P><P>&nbsp;</P><P>&nbsp;</P>

superyongzhe

其实不用改，prm文件改不好的话，晶振会停振，不运行。你看看单片机是否运行了