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[硬件类] IR2104的一些问题

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发表于 2014-2-8 10:53:30 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

在ir2104的典型电路中,为什么要加一个自举电路?
在LO输出高电平的时候,VS必须等效接地。是为什么?
Vs是高端浮置电源公共端,就相当于是高端的地 ?
Vb是高端浮置电源电压,就相当于是高端的电源 ?
这个时序图也看不懂,各位大神能否指点下。

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发表于 2014-7-8 10:14:21 | 只看该作者
ASUKA 发表于 2014-2-8 23:04
这个我知道,我主要想问升压之后那个Vs相当于高位地,Vb相当于高位电源神马的具体指什么?

首先,MOSFET的开启电压是栅极对源极电压即Vgs,当半桥或全桥中MOS管导通对电机供电时,电机两个端子电压分别是地和电机供电电压,这时电机下面和上面两个MOS的源极电压是不一样的,分别是地和电机供电电压。这时下面MOS依旧可以使用恒压开启方式,而上面MOS的开启电压就等于电机供电电压加上原有Vgs才行,要不就不导通或不完全导通发热或烧坏了。所以VS端做上MOS的电压基准(高地),每周期的PWM都会以VS为基准给自举电容(应该是VB端)充电。充电电压对VS也是2104的工作电压,这时VB端电压就是VS+VCC了,上面MOS的Vgs=VS+VCC-电机供电电压(电池电压),由于上面MOS基准电压VS就是电机供电电压,所以上面MOS的Vgs=VS+VCC-VS=VCC,也就是说这时的上下MOS开启电压Vgs都是2104的供电电压了。
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 楼主| 发表于 2014-2-8 10:58:18 | 只看该作者
还有那个自举电路的原件是怎样选择的?各位大神MOS用的是IRF540么?
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发表于 2014-2-8 20:03:56 | 只看该作者
自举就是一个升压的过程,用足够的电压保证高位MOSFET完全打开
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 楼主| 发表于 2014-2-8 23:04:40 | 只看该作者
glacier0 发表于 2014-2-8 20:03
自举就是一个升压的过程,用足够的电压保证高位MOSFET完全打开

这个我知道,我主要想问升压之后那个Vs相当于高位地,Vb相当于高位电源神马的具体指什么?
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发表于 2014-3-6 10:41:00 | 只看该作者
你可以把IN 看作使能端  把SD看作你的控制信号   HO 和LO就是对两个MOS的通断控制
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 楼主| 发表于 2014-3-12 20:11:20 | 只看该作者
1224091496 发表于 2014-3-6 10:41
你可以把IN 看作使能端  把SD看作你的控制信号   HO 和LO就是对两个MOS的通断控制

正在了解中
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发表于 2014-3-13 18:16:47 | 只看该作者
ASUKA 发表于 2014-3-12 20:11
正在了解中

  IN接PWM,SD是使能端,低电平有效。  使能时,HO和LO都为低,全部关断。 正常情况下SD接VCC。  NMOS还可以用ir7843..
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发表于 2014-3-19 21:29:06 | 只看该作者
你们有没有用过ir4427的啊  为什么我INA输入15%占空比  出来的是 85%的控制电压啊   我看技术手册上这个片子的控制逻辑是正常的啊   就是输入高 输出也是高电平  输入低电平输出也是低电平 为什么实验结果正好反相?
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发表于 2014-6-17 10:33:36 | 只看该作者
高端驱动的mos管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以栅极电压要比VCC大4V以上,就要用专门的升压电路,用6009就可以了
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