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驱动 8毫欧 175A

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发表于 2010-1-15 09:45:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 261069267 于 2010-1-15 09:56 编辑

有没有人要驱动电路,我去年参加的比塞,我们的驱动用的MOSFET做的全桥 ,导通内阻8毫欧,最大电流175A,

去年我们是西部赛区一等奖第二名,(第一名是主办),最高只用了80%的展空比;

由于没有对跑道外的蓝色部分进行识别,西部赛区蓝色较浅,二值化就虑掉了,北科大蓝色很深,二值化就成黑色了,试跑道完全跑不了,最后通宵重写的程序,在没有法试跑道的情况下,总算跑了个全国二等奖,整个车软件,硬件基本都是我设计的,小车整个电路板不超过100G,

最后学校奖了4000,本人是微电子专业的。结果被比赛承办系扣了2000, 如果有老师指导的话,也就算了,关键是做比赛老师不在,参加比赛老师就来了,不管是西安还是北京,老师都坐灰机,我们坐硬坐,只好出卖技术了,再说这完全是我们自己的技术。

有没有人要啊,登个记,我就去开板。

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发表于 2010-1-15 11:19:22 | 只看该作者
兄弟的遭遇值得同情啊,这就是我们的社会啊
先给发点资料看看吧,可以吗? 谢谢了! lpb_098@163.com
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发表于 2010-1-15 13:24:11 | 只看该作者
感同身受啊,楼主好强,有技术可以卖,能不能同楼上一样先发点资料看看啊,让新手也学习学习,谢谢~~
ssclark@163.com
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 楼主| 发表于 2010-1-15 14:13:41 | 只看该作者
回复 2# buxinzhengsheng


    hehe,没有什么关键技术,就是4个场馆构成的H全桥,Vgs越大,那么导通的Rds就越小,我们这个芯片的内阻能小到不足4毫欧,所以H桥的内阻能在8毫欧以内,  要注意场馆在驱动电机的时候应该工作在Vgs远大于VCC的状态,  具体应该参见"萨氏方程"
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发表于 2010-1-15 14:32:54 | 只看该作者
惨了点 同情一下 不过这也是搞技术必须面临的 想开点吧 获奖的成就感 他们是拿不走的
PS:咋个登记法?
Email:gwjxb008@gmail.com
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发表于 2010-1-15 14:39:01 | 只看该作者
“萨氏方程”是什么?哪里学的?
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发表于 2010-1-15 17:02:24 | 只看该作者
回复 1# 261069267


     我的邮箱1987032230@163.com 你要是有关于飞思卡尔比赛的信息都发给我    我做个参考
谢谢了  楼主
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发表于 2010-1-15 17:41:57 | 只看该作者
回复 1# 261069267
有原理图和芯片型号的资料么?拿出来共享一下吧。麻烦发一下到邮箱chenrunshe_007@163.com
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发表于 2010-2-19 13:38:56 | 只看该作者
回复 1# 261069267


    新手上路 请前辈指点指点 能不能给我点这方面的资料 我的邮箱是 yuyinyaner@163.com  万分感谢
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发表于 2010-3-18 22:42:54 | 只看该作者
能给我看下电路图和使用的芯片么?谢谢
邮箱:153829946@qq.com
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