1)去藕 (电源端) 去耦电容一般是接在正负电源之间,滤波作用.在对电源布线的时候,优先让电源导线经过去耦电容 去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声(c对高频阻力小,将之泻至GND)。 1.数字电路中,当电路从一个状态转换为另一种状态时,就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流,形成瞬变的噪声电压。,会影响前级的正常工作。这就是耦合。 对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件,应在芯片的电源线(Vcc)和地线(GND)间直接接入去耦电容。 2.关于去耦电容蓄能作用的理解 1)去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰,干扰的进入方式是通过电磁辐射。 而实际上,芯片附近的电容还有蓄能的作用,这是第二位的。 ,在频率很高的情况下,阻抗Z=i*wL+R,线路的电感阻碍电流的作用非常大, 会导致器件在需要电流的时候,不能被及时供给,去耦电容可以弥补此不足。 这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一 (在vcc引脚上通常并联一个去藕电容,这样交流分量就从这个电容接地。) 2)有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供 一 个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地 我们经常可以看到,在电源和地之间连接着去耦电容,它有三个方面的作用:一是作为本集成电路的蓄能电容;二是滤除该器件产生的高频噪声,切断其通过供电回路进行传播的 通路;三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。 数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。 0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以 下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。 1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些。 每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右。最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用 钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF。 |
じ~凝眸处 发表于 2017-2-9 15:51
2)旁路 (信号端)
旁路电容一般是接在信号端对地的,有抗干扰或降低噪声作用;
旁路:从元件或电 ...
じ~凝眸处 发表于 2017-2-9 15:57
解释的挺到位
Quixote 发表于 2017-2-11 13:41
不敢苟同,我本身一直对这两个概念没怎么弄明白。不过从自控中来讲,Bypass指无关联量的滤除,比如X的微分= ...
じ~凝眸处 发表于 2017-2-13 07:40
啊.... 没想到一个小贴把诸葛大神引来, 我对旁路和去耦电容也分不清。然后在别的论坛看到有人说感觉说 ...
xhx331153066 发表于 2017-2-13 11:35
装X贴,鉴定完毕
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