智能车制作

标题: 为什么大家做H桥要用mosfet管而不用IGBT呢？ [打印本页]

作者: zf12862177 时间: 2009-6-2 13:53
标题: 为什么大家做H桥要用mosfet管而不用IGBT呢？
我觉得IGBT不错啊。。但是看大家都用mosfet。难道是我有什么地方没有注意到IGBT的缺点？

作者: breathless 时间: 2009-6-2 14:40
1# zf12862177
成本高、驱动电路复杂、体积大、性能浪费

作者: zf12862177 时间: 2009-6-2 17:01
IGBT 管子大？驱动电路复杂？
不是吧？
驱动电路用单片机+2110 +IGBT 不就行了么？

作者: liang110034 时间: 2009-6-2 18:13
本帖最后由 liang110034 于 2009-6-2 18:14 编辑

完全可以用啊。
个人认为现在的场效应管完全能够满足需要（例如IRF3205极限电流能达到110A、导通电阻仅8毫欧），
IGBT有很多种型号，如果你选用的IGBT极限电流很大、导通内阻很小的话就用IGBT吧。
http://baike.baidu.com/view/115175.htm

作者: breathless 时间: 2009-6-2 23:51
3# zf12862177
你说的是这种东西？

作者: breathless 时间: 2009-6-3 00:14
4# liang110034
就应用而言，要上功率，一般都用IGBT，MOS只用在低压小功率场合。
原因很简单，MOS是单极型器件，导通电阻就是体电阻，很大，造成导通压降大，损耗大，没法做大功率器件
而IGBT是双极型器件，导通的时候有少子注入过程和电导调制效应，导通电阻小，相应的通态压降和损耗都小
不知道SiC器件的问世能不能让MOS向中高压领域发展，SiC器件和目前的Si器件相比，临界击穿电场强度是Si器件的十倍，饱和速率是Si器件的二倍，导热性是Si器件的三倍，前景相当诱人。

作者: liang110034 时间: 2009-6-3 06:37
本帖最后由 liang110034 于 2009-6-3 06:45 编辑

6# breathless 学习了！
像电磁炉用的IGBT极限电流不是很大（十几到几十A），只是耐压很高（1500V）。
咱的智能车要是用好几百瓦的IGBT岂不会爽死？

作者: breathless 时间: 2009-6-3 09:26
7# liang110034
极限电流达到100A的D2PAK封装的MOS比比皆是，耐压一般在30-40V，参数上已经可以满足智能车需要了。
IGBT，我接触比较多的是kV、kA级别的，还真从来没接触过智能车这个电压范围的IGBT产品。通常说IGBT优于MOS，都是假定在高压（几kV到十几kV）大功率（几MVA到上百MVA）范围，真正几V、几十V的场合，或者把电磁炉里那种耐压1500V的IGBT用到智能车上，表现如何，难说。
个人觉得，没必要。

作者: zf12862177 时间: 2009-6-3 12:38
哦。。。。看来我得谢谢。。breathless 了

我主要是看到有耐压600v的IGBT
我还看中的是IGBT的驱动电流很小。

作者: zdhly0401 时间: 2009-6-3 20:41
有点浪费吧

作者: liang110034 时间: 2009-6-3 22:02
场效应管驱动电流也很小啊，和IGBT一样是属于电压驱动的，电压驱动电流几乎为“零”。
breathless很厉害！

作者: breathless 时间: 2009-6-3 23:27
9# zf12862177
IGBT的结构简单说来就是MOS+BJT（功率晶体管），门极特性和MOS很像，所谓绝缘栅双极型晶体管（IGBT的全称）说的就是IGBT的门极是绝缘的，理论上驱动电流为0。与之相对应的是IGCT，一种电流驱动的器件，在更大功率应用场合替代IGBT。
600V的IGBT已经算是低压IGBT了，有体积比较小的产品么？这个我不了解，不过我觉得，功率器件单纯谈电流耐量和电压耐量没有意义，毕竟功率器件都存在开关损耗，也就有一个安全工作区的概念。如果把体积做小了，散热难做，真正的工作范围会很窄。
总之，MOS足够用了，而且有买IGBT的钱，好电调都买出来了。

作者: breathless 时间: 2009-6-3 23:31
11# liang110034
IGBT的门极可以简单的看成一个MOS结构，所以特性几乎一样，属于电压型器件
我只是专业相关而已，不得不多了解一下这些东西。

作者: 阿隆 时间: 2009-6-4 00:30
赞同八楼的一般来讲要是用于我们单片机所用的智能车用MOS管就可以了但是一般是不建议用三极管的，三极管功率实在是比较小要是供应大功率的电机这明显就是不行！

作者: zf12862177 时间: 2009-6-4 09:12
不是啊。。mos管要几块钱。IGBT也是几块钱啊。。而且大小和MOS管一样。我只是觉得他的耐电电压更大。驱动电流更小。

作者: liang110034 时间: 2009-6-4 15:44
本帖最后由 liang110034 于 2009-6-4 15:45 编辑

MOS和IGBT的驱动电流都已经小到几乎为零的程度了，只要提供驱动电压的芯片就能驱动它们，所以说“驱动电流”这个问题就不用考虑啦！你想用的IGBT是什么型号？参数多少（极限电流等）？对比Mos管（像IRF3205）看哪个更有优势，但IGBT耐压高只是C和E极之间耐压高，Mos管D、S之间电压不到100V，但它们栅极驱动电压还是不能超过+-20V。哪个好我们光说没用，你可以对比试验一下嘛！原则是哪个电流大用哪个！

作者: 六弦七品 时间: 2009-6-4 23:29
IGBT的个头也不小吧，杀机焉用牛刀

作者: a132730 时间: 2009-6-12 14:21
你家有钱烧的吧？呵呵。。。玩笑，不要当真，IGBT成本太高了，MOS管足够用，就几块钱，何必多花钱，电路设计宗旨：够用就行，以后工作就知道了！

作者: alexzhangkaiqi 时间: 2009-6-23 00:02
哇塞，又见哲哲 8# breathless

作者: cys179 时间: 2009-7-3 10:37
简单吧

作者: influencer 时间: 2009-12-5 02:38
学习了
谢谢breathless 了

作者: buffonshao 时间: 2010-2-23 16:46
没必要用

作者: zhuiyi 时间: 2010-2-25 20:15
学习学习了，我只知道规定的电池电流2A，但不知用工作电流大的驱动系统，受电池电流限制能否突出优势？

作者: YUZHIBOYI 时间: 2010-3-19 13:48
路过学习学习

作者: ATF 时间: 2010-4-1 23:31
MOS管的电流很大了，300A以上的都有，但是耐压一般比较低，IGBT耐压很高，MOS比不了，一般用在电力电子场合，小车用一个50A的MOS绰绰有余啦！何况电池电流跟不上............

作者: 瘸子舞 时间: 2010-6-15 10:47
有点浪费吧

作者: verify 时间: 2010-6-19 17:52
早来学习就好了，要学的不少呢

作者: justing88 时间: 2011-3-7 15:39
回复 8# breathless

那600V，15A左右的条件呢？？处于MOS与IGBT之中

作者: xiangmeitan 时间: 2011-3-17 21:58
大牛拉小车了

作者: 619941085 时间: 2011-4-12 21:52
额

作者: 随风静默 时间: 2011-4-14 08:19
学习学习了！@#￥%……

作者: aifei7320 时间: 2011-7-1 22:20
谢谢！！

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